SK Hynix thấy tỷ lệ năng suất tăng lớn với công nghệ DRAM 1C, đạt tới 80%, làm cho sản xuất khối lượng trở thành bước tiếp theo

SK Hynix đã đạt được tỷ lệ thu hồi ấn tượng với các mô-đun DRAM 1c, khẳng định vị thế thống trị trong lĩnh vực này. Công ty đang tập trung phát triển các mô-đun bộ nhớ HBM4, được cho là sẽ mang lại bước đột phá mới trong khả năng tính toán.

Theo báo chí Hàn Quốc Hankooki, SK hynix đã nâng cao đáng kể tỷ lệ thu hồi DRAM 1c, giúp công ty có lợi thế trong cả thị trường bộ nhớ tiêu dùng và HBM, mặc dù dự kiến sẽ tập trung vào HBM. DRAM thế hệ 6 10nm hiện đã đạt tỷ lệ thu hồi 80-90%, một cải tiến lớn trong thời gian ngắn, so với con số 60 vào nửa cuối năm 2024.

Hiện tại, công ty đang tập trung vào sản xuất HBM4, nên chúng tôi không kỳ vọng các giải pháp bộ nhớ DDR5 dựa trên 1c sẽ ra mắt sớm. Tuy nhiên, công nghệ DRAM đang được thể hiện qua HBM4, có khả năng là HBM4E vượt trội. Với thành công này, SK Hynix đã vượt qua Samsung để dẫn đầu trong lĩnh vực DRAM về công nghệ. Mặc dù Samsung đã phát triển các mô-đun DRAM 1c của riêng mình trong một thời gian dài, nhưng họ vẫn gặp khó khăn trong việc đạt được năng suất tốt hơn và hiện đang xem xét lại các mô-đun này.

SK hynix sẽ là công ty đầu tiên bắt đầu sản xuất đại trà HBM4, bỏ xa các đối thủ, và khoảng cách này có vẻ sẽ tiếp tục gia tăng.

Nguồn: wccftech.com/sk-hynix-sees-a-massive-rise-in-yield-rates-with-1c-dram-technology/